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A2C4-06-261-10
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A2C4-06-261-10A
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A2C4-06-261-8
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C3-06-261-8B-1
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C3-06-261-8B-2
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A2C4-06-261-9A
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 これまでの二次元運動の装置では不可能だった、マイクロ・ナノレベルの粉砕・混合・分散を可能にします。 詳しくはこちらから 型式 3DB-210 特徴 分離型 中型 主軸 主軸/3次元軸の2軸任意回転設定機能一括運転機構 寸法 680(W)×420(D)×380(H)mm 重量 30kg 防振ベース(オプション) 680(W)×370(D)×16(H)mm 主...
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これまでの二次元運動の装置では不可能だった、マイクロ・ナノレベルの粉砕・混合・分散を可能にします。 詳しくはこちらから 型式 3DB-80 特徴 分離型 小型 主軸 主軸/3次元軸 独自制御式卓上型グローブボックス投入型 寸法 585(W)×310(D)×270(H)mm 重量 27kg 防振ベース(オプション) 580(W)×260(D)×16(H)mm ...
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定価 ¥60,000
販売価格 ¥60,000
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■品名 Description<br>φ4インチ(inch)×525μmt Siウェハ(Wafer)■数量 25枚■仕様 Specification・直径 Dia:100±0.5mm・導電型 Conductivity type:P型 type・抵抗値 Resistance value:1-100Ω・cm・厚さ Thickness:525±25μmt・パーティクル Particle...
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1200M-05812 1M10-101058-12
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定価 ¥67,500
販売価格 ¥67,500
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■品名 Descriptionφ6インチ(inch)×625μmt Siウェハ(Wafer)■数量 25枚■仕様 Specification・直径 Dia:150±0.5mm・導電型 Conductivity type:P型 type・抵抗値 Resistance value:1-100Ω・cm・厚さ Thickness:625±25μmt・パーティクル Particle:0.3μm&...
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C2-80-2010-1
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A2C4-80-2010-2