ハフニア(HfO2)膜付きシリコンウェハ

研究/開発用途向け HfO2膜付きSiウェハの販売となります。1枚～少量産までご希望の枚数をご相談ください。

【成膜仕様】

方式：スパッタリング(PVD)成膜

膜構成：Sub/HfO2

膜厚公差：狙い値より±10％以内狙い

基板：ウェハ、他 特殊な基板可(小口径、角型、立体、フイルム等)

成膜環境：弊社クリーンルーム(Class 1000)

標準納期：約2～3週間

※基板はご支給または、弊社にてダミーウェハを準備いたします。

JEITA標準サイズ(2,4,6,8,12インチ)のウェハ以外に、特殊形状の基材も投入可能です。

※受注生産品になります。HfO2の膜厚を指定ください。

成膜可否や枚数等はお気軽にご相談ください。