4インチ熱酸化膜付きウェハ 4INCH Thermal oxide wafer ( Si + SiO2 )

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■品名 Description
φ4インチ(inch）×525μmt Siウェハ（Wafer）
■数量 25枚
■仕様 Specification
・直径 Dia：100±0.5mm
・導電型 Conductivity type：P型 type
・抵抗値 Resistance value：1-100Ω・cm
・厚さ Thickness：525±25μmt
・熱酸化膜厚：500ｎｍ±10％
・パーティクル Particle：0.3μm<10ea

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